Учеными Алферовского университета, АО «ОКБ-Планета» и ООО «Иоффе-ЛЕД» были запатентованы первые фотодиоды для систем ночного видения и чувствительных приборов.
Новые датчики обеспечивают детализированное изображение для систем ночного видения и экологического мониторинга, а также открывают возможности для контроля выбросов.
Оптимизированный состав полупроводникового материала — арсенида индия-галлия (InGaAs) — и новая технология создания кристаллов с высоким содержанием индия улучшили их характеристики.
Технология создания кристаллов InGaAs с рекордным содержанием индия расширяет рабочий диапазон детекторов и сохраняет совместимость с существующими процессами, что обеспечит быстрый выход новых устройств на рынок и конкурентоспособность с зарубежными аналогами.
Источник: Наука. рф
