Специалисты молодежной лаборатории Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН работают над технологией роста нитрида галлия на кремниевых подложках.

Нитрид галлия выдерживает большие температуры, поэтому способен работать при больших токах, а также является радиационно-стойким материалом. Такой материал используется в высоковольтных источниках питания, систем беспроводной зарядки носимой электроники, преобразователях напряжения, системах телекоммуникаций, линий связи 5G и 6G. Ученые отмечают, что технология роста нитридных гетероструктур на подложках кремния очень сложна, поскольку у этих кристаллов сильно отличаются параметры решеток и коэффициенты температурного расширения. При этом промышленная технология их роста на данный момент не поставлена в российской промышленности.

Молодежная лаборатория в новосибирском институте существует всего год. За это время ее сотрудники отработали начальные стадии зарождения слоев, в этом году перешли к созданию буферных слоев с минимальным количеством дефектов, а в ближайших планах – отработка верхних слоев структуры, в которых будет располагаться двумерный электронный газ по которому протекает ток высокой плотности в транзисторе.

Информация предоставлена пресс-службой ИФП СО РАН https://www.isp.nsc.ru/institut/dlya-smi