Исследования в области фазопеременной памяти ведутся учеными из Герценовского университета, под началом директора института физики и НИИ физических исследований Александра Колобова, начиная с 2025 года. Современные исследования показывают, что данная технология может стать основой для создания компьютеров, способных обрабатывать данные, подобно человеческому мозгу, что открывает новые горизонты для передовых технологий.
Фазопеременная память базируется на способности материалов изменять состояние с аморфного на кристаллическое. Это дает возможность создавать устройства для хранения данных нового поколения, превосходящие традиционные флеш-накопители по скорости и долговечности.
Александр Колобов отметил, что фазопеременная память – это не просто средство хранения данных, а ключ к созданию новых вычислительных систем. Свойства этих материалов позволяют осуществлять революционные изменения в науке и технике.
Изначально, открытие фазопеременной памяти изменило подходы к хранению и обработке информации. Всё началось с открытия полупроводниковых качеств халькогенидных стекол, сделанного Борисом Коломийцем и Ниной Горюновой в середине 50-х годов. Существенный вклад в развитие технологии внес Стэн Овшинский, чьи открытия заложили основу современных систем электронной памяти. Ученым РГПУ им. А. И. Герцена, подведомственного Минпросвещения России, предстоит углубить исследование этих материалов.
Проект «Многофакторный прецизионный контроль структуры пленок фазопеременных халькогенидов для нейроморфных систем и приборов» реализуется в сотрудничестве с Восточно-Китайским педагогическим университетом (Шанхай) под руководством профессора Ян Ченг. Проект финансируется Российским научным фондом и Государственным фондом естественных наук Китая, с реализацией запланированной на 2025–2027 годы.
Источник: пресс-служба РГПУ им. А.И. Герцена
